光刻技術(shù)

集成電路在制造過(guò)程中經(jīng)歷了材料制備、掩膜、光刻、清洗、刻蝕、摻雜、化學(xué)機(jī)械拋光等多個(gè)工序。其中以光刻工藝最為關(guān)鍵，決定著制造工藝的先進(jìn)程度。

集成電路主要是利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。

光刻技術(shù)是指在光照作用下，借助光致抗蝕劑（光刻膠）將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到基片上的技術(shù)。

下面介紹其主要過(guò)程：首先紫外光通過(guò)掩膜版照射到附有一層光刻膠薄膜的基片表面，引起曝光區(qū)域的光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)；再通過(guò)顯影技術(shù)溶解去除曝光區(qū)域或未曝光區(qū)域的光刻膠（前者稱(chēng)正性光刻膠，后者稱(chēng)負(fù)性光刻膠），是掩膜版上的圖形被復(fù)制到光刻薄膜上；最后利用刻蝕技術(shù)將圖形轉(zhuǎn)移到基片上。

因?yàn)楣饪碳夹g(shù)決定著芯片的集成度，想要提高芯片的集成度，就得需要更高要求的光刻技術(shù)。就目前的形勢(shì)來(lái)看，晶體管的尺寸會(huì)在將來(lái)繼續(xù)縮微變小。也就意味著未來(lái)的芯片技術(shù)會(huì)更加拔高。